Ионная имплантация

Ионная имплантация

Ионная имплантация (ion implantation), внедрение атомов контролируемой примеси в приповерхностную область чистого в-ва с использованием пучков ионов высокой энергии. Внедряемый материал (обычно фосфор, бор, мышьяк) ионизируется, и ионы ускоряются до высоких энергий в спец. ускорителе заряженных частиц. Достигая поверхности, ионы проникают в нее, останавливаясь на небольшой глубине. Этот метод используется для легирования полупроводниковых приборов (введение контролируемого числа примесей в чистый полупроводник, чтобы обеспечить требуемые электрич. х-ки), а также для получения твердого износостойкого приповерхностного слоя.